SVS20N60FJD2 دیتاشیت

SVS20N60FJD2

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت SVS20N60FJD2
حجم فایل 62.749 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 10

مشاهده دیتاشیت SVS20N60FJD2

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Hangzhou Silan Microelectronics SVS20N60FJD2
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 45W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 39nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 600V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 1.174nF@100V
  • Continuous Drain Current (Id): 20A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 4pF@100V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 160mΩ@10V,10A
  • Package: TO-220F
  • Manufacturer: Hangzhou Silan Microelectronics

محصولات مشابه